我国首颗直拉硅单晶的奠基人之一丁守谦教授逝世
丁守谦教授，作为我国首颗直拉硅单晶的重要研制者之一，于2026年9月5日在天津辞世，享年97岁。他生于1930年，来自湖南攸县，是九三学社的社员，曾担任南开大学电子信息与光学工程学院的教授，以及美国SID学会理事和中国电子学会会士。丁守谦于1953年获得北京大学物理系的本科学位，并于1956年完成研究生学业，随后在南开大学物理系任助教。1958年，他调往天津703厂（现中电科46所）担任技术员。
1973年，丁守谦重返南开大学电子科学系工作，担任讲师。1985年，他作为访问学者前往西德图屏根大学，与著名的电子光学专家弗·棱茨教授合作开展研究，1986年薪升为教授。1989年，他因其杰出贡献获得国家发明二等奖。1958年，丁守谦负责晶体硅的提炼与测试，并于1959年9月15日成功拉制出我国第一颗硅单晶，为国家的信息产业奠定了基础，显著缩短了我国与欧美在技术上的差距，为半导体行业及后续的集成电路发展和低碳太阳能技术打下了坚实基础。
在半导体和显示技术领域，丁守谦创造了“非近轴光学”理论，推动了高斯近轴光学的发展，解决了多个科研难题，发表了80多篇论文，出版了多部专著，并在多个学术期刊上担任编委。此外，自1989年以来，他还受国家委托，面向国内产业界举办多届企业领导培训班，因而被誉为中国偏转线圈领域的开创者。90年代，丁守谦克服重重困难，推动成立国际信息显示学会（SID）北京分会，并担任了初届和续届理事长，为中国信息显示行业迈向国际舞台贡献了重要力量。
进入21世纪后，丁守谦在中国3G通信制式的发展中发挥了关键作用，助力中国在3G追赶、4G并进和5G领域超越，将他誉为“TD三剑客”之一。他在科技和教育领域的深远影响，将永驻人们心中。
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